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IXTK 180N15P
250
Fig. 7. Input Adm ittance
120
Fig. 8. Transconductance
225
200
175
150
125
100
100
80
60
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
20
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
350
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 75V
I D = 90A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.3
0.5
0.7 0.9
V S D - Volts
1.1
1.3
1.5
0
25
50
75 100 125 150 175 200 225 250
Q G - nanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
10,000
C is
R DS(on) Limit
25μs
100μs
C os
100
1ms
1,000
100
C rs
10
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
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IXTK20N140 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK20N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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